【根据安森美半导体 NCP12601 使用在PD 65W电源办理计划】

  跟着电子科技类产品一日千里的开展，渐渐的变多的电子科技类产品完成了小型化，便于带着，因而充电器商场迸发巨大潜能，各大品牌半导体都推出了自己相应的处理计划，现在商场上遭到商场的欢迎，安森美半导体也推出多种PD计划：有用于高功率密度跑高频的有源钳位反激计划NCP1568，因为此计划要添加一个专用的MOSFET 及MOSFET Driver用来做反激电压尖峰的吸收，因而会添加本钱； 高频准谐振计划NCP1342是一个简略的反激拓扑，能够在减小磁性器材的一起做高频驱动以减小能合作一般的磁性材料无需做小体积，选用此计划能做到高功用低本钱，适用于关于BOM本钱较低的使用，下文首要介绍

  ON 65W PD计划主控芯片是Flyback拓扑操控芯片NCP12601，副边整流电路调配同步整流操控器NCP4306, 输出端选用USB-PD操控芯片FUSB3307,具有过电流维护，过电压维护等维护方法，根据USB PD规范供给了5V/12V/20V多组输出电压规范,最大输出功率做到65W，输入电压从90Vrms到265Vrms，选用超结 MOSFET 低频率驱动完成低本钱高功率，因作业于低频形式，一般MOSFET即可满意高效能特性，变压器不需要做的很小，因而下降绕制难度及本钱。

  NCP12601是多形式作业电源办理芯片，当电源作业在重载时NCP12601作业在CCM形式，当负载削减该操控器将进入非接连导通形式，频率折回，在空载条件下，操控器进入跳周期形式运转，以完成杰出的待机功耗功用。传统反激变换器作业形式是固定的，而NCP12601结合QR 形式和CCM 形式优化了电源功率，在平等输出电压作业条件下，此计划能到达更高的功率，以下图表有列出DEMO NCP12601PD65WGEVB在115Vrms, 230Vrms输入条件下，别离测试了在电源输出在5V/9V/12V/15V/20V下对应的10%/25%/50%/75%/100%负载情况，从图表中可看到5V条件下5点均匀功率可达88%，20V输出条件下5点均匀功率可达92.9%，此计划功率得到极大优化，真实处理了轻载条件功率低的问题。

  NCP12601 还具有一个高达750V 的高压发动电源以完成自发动，并且HV还具有brown out维护功用，X电容放电机制，能够使用于更宽输入电压规模的使用场合。